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時間:2019-8-14,閱讀:293,發布企業:北京宇達芯業科技有限公司, 資訊類別:會員資訊
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韓國SK海力士開發出業界最高帶寬的HBM2E DRAM產品

時間:2019-8-14, 來源:互聯網,  資訊類別:新品推薦

導讀:8月12日消息,SK海力士公司宣布,它已開發出具有業界最高帶寬的HBM2E DRAM產品。與之前的HBM2相比,新款HBM2E大約提升50%的帶寬和100%的容量。SK海力士的HBM2E每個針腳傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬,無可比擬。

AMD Radeon VII顯卡曾經率先實現1TB/s的顯存帶寬,但應用了4096-bit的位寬,如果換成HBM2E總帶寬可以輕松超過1.8TB/s。

同時得益于TSV硅通孔技術,HBM2E內存可以最多垂直堆疊八顆16Gb芯片,單顆封裝總容量因此可達16GB,是目前的兩倍。

SK海力士表示,超高帶寬的HBM2E可用于工業4.0、高端GPU顯卡、超級計算機、機器學習、AI人工智能等各種尖端領域

而且不同于傳統DRAM必須單獨封裝、占用主板面積,HBM系列可以與GPU芯片、邏輯芯片等整合封裝在一起,彼此距離可以做到僅僅幾個微米,大大節省整體面積,也能保證更快的數據傳輸。

哦對了,SK海力士是第一個搞定HBM的,時間是2013年。

SK海力士未透露HBM2E何時量產出貨,看樣子還要等一段時間。

GPU芯片左右兩側四顆芯片就是HBM

HBM2E基于每個Pin針3.6Gbps的速度性能以及1,024 數據的IOPs,所支持的帶寬達每秒460GB。通過TSV技術,最多可以垂直堆疊8個16Gb的芯片,形成密度為16GB的單封裝芯片。

HBM事業部負責人Jun-Hyun Chun表示,“自從2013年首款HBM發布以來,SK海力士就建立起了業內領先地位,SK海力士計劃在2020年大規模量產HBM2E芯片,并繼續加強在該領域的領先地位。”

韓國與日本的貿易摩擦使得全球的半導體存儲變數不斷增大,希望以海力士為首的韓系廠商能狗保證產能穩定全球的科技產業鏈,避免之前的惡意漲價現象再次出現。

SK海力士的HBM2E內存,其每個針腳傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位寬,支持提供超過460GB/s的超高帶寬,無可比擬。同時,通過利用TSV(硅通孔)技術,最多可垂直堆疊8個16千兆位芯片,形成16GB數據容量的單個密集封裝。

SK海力士的HBM2E是第四個工業時代的最佳內存解決方案,支持需要最高內存性能的高端GPU,超級計算機,機器學習和人工智能系統等各種尖端領域。與采用模塊封裝形式并安裝在系統板上的傳統DRAM產品不同,HBM芯片可以與GPU和邏輯芯片等處理器緊密互連,間距僅為幾微米,可實現更快的數據傳輸。

AMD目前最強的Radeon VII顯卡用的就是16GB HBM2顯存,擁有1TB/s帶寬的帶寬,可以給一些專業應用提供了便利,特別是高分辨率的4K、8K創作、渲染等工作;而NVIDIA CEO黃仁勛在采訪中表示HBM2顯存太貴,相比之下他還是更喜歡GDDR6顯存。在NVIDIA的顯卡中,面向專業市場的Tesla V100等高價顯卡也使用了32GB HBM2顯存,消費級的有Titan V顯卡,使用了12GB HBM2顯存,不過現在的圖靈GPU使用的就是GDDR6顯存了。目前,SK海力士尚未透露HBM2E內存可以量產出貨。

三星電子在三月份也發布了自家的HBM2E內存,將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps,提升幅度達到33%。同時每芯片的容量提升了兩倍,達到16GB。同樣,尚未可知工作電壓和量產時間。

目前,兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經公布了新NAND Flash產品的發展規劃。其中,三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash,SK海力士則是宣布成功開發出128層堆疊的4D NAND Flash,并已經進入量產階段。

不過,雖然兩家廠商競相推出NAND Flash的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在2030年推出800+層的NAND Flash,屆時將可輕松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前舉行的“Flash Memory Summit”大會上,SK海力士公布旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。根據內容指出,目前SK海力士正在開發128層堆疊的4D NAND Flash,其量產時間將落在2019年第4季。

另外,SK海力士還展示了一款“PE8030”的全新SSD,采用PCIe 4.0×4介面連接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量,連續讀寫速度最高可達6200MB/s、3300MB/s,而4KB隨機讀寫最高可達950K IOPS、260K IOPS。

在研發發展方面,目前SK海力士正在研發176層NAND Flash,而其他產品的發展,包括72層堆疊的4D NAND Flash目前在大規模量產中,96層堆疊的4D NAND Flash目前也在大規模量產中,而且未來產能即將超越72層堆疊的4D NAND Flash。

128層堆疊的4D NAND Flash將于2019年第4季量產,176層堆疊產品2020年問世、500層堆疊產品則將于2025年問世,其TB/wafer容量比將可提升30%。而800+堆疊的4D NAND Flash則是預計2030年問世,TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

據了解,目前SK海力士生產的128層堆疊NAND Flash核心容量是1Tbit,176層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit,預計500層堆疊時核心容量可達3.9Tbit,到800層堆疊時則會高達6.25Tbit,是現在的6倍多。

若以當前SSD固態硬盤的容量計算,目前最大容量約在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成長幅度來計算,未來SSD容量可達200TB左右,這個容量要比當前的HDD還要更大。



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