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FM18W08 256 Kbit(32 K x 8)寬電壓字節寬度 F-RAM存儲器

時間:2019-11-12, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

特征

256 Kbit鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)邏輯組織為32k×8高耐久性100萬億(1014)讀/寫151年數據保留期(見數據保留和耐久表)NoDelay™寫入先進的高可靠性鐵電工藝與SRAM和EEPROM兼容工業標準32 K×8 SRAM和EEPROM引腳70 ns訪問時間,130 ns周期時間優于電池支持的SRAM模塊無電池問題單片可靠性真正的表面貼裝解決方案,無返工步驟適用于潮濕、沖擊和振動抗負電壓過沖低功耗有功電流12毫安(最大值)備用電流20μA(典型值)寬電壓運行:VDD=2.7 V至5.5 V工業溫度:–40℃至+85℃??28針小外形集成電路(SOIC)封裝符合有害物質限制(RoHS)

功能描述

FM18W08是一個32 K×8的非易失性存儲器,它可以讀取和寫入類似于標準SRAM。鐵電隨機數存取存儲器或F-RAM是非易失性的,這意味著數據在斷電后保留。它為151年來,在消除可靠性問題的同時,功能缺陷和系統設計復雜性電池支持的SRAM(BBRAM)。快速寫入計時和高寫持久性使F-RAM優于其他類型的記憶。FM18W08操作與其他RAM設備類似因此,它可以作為系統中的標準SRAM。最小讀寫循環時間是平等的。由于F-RAM存儲器的獨特性,它是非易失性的鐵電存儲器過程。這些特性使FM18W08非常適合需要頻繁或快速的書寫。該設備提供28針SOIC表面安裝封裝。設備規格在工業上得到保證溫度范圍-40°C至+85°C。

設備操作 :FM18W08是一個字節范圍的F-RAM存儲器,邏輯上是有組織的as 32768×8并使用工業標準并行訪問接口。寫入部件的所有數據立即不易失毫不遲疑。F-RAM存儲器的功能操作是與SRAM型設備相同,但FM18W08要求開始每個存儲周期的CE下降沿。見功能真值表,第13頁,完整描述讀寫模式。存儲器結構用戶訪問32768個內存位置,每個位置有8個數據位通過一個并行接口。完整的15位地址唯一指定8192字節中的每個字節。F-RAM陣列是組織為4092行,每行8字節。此行分段對操作沒有影響,但是用戶可以將數據分組到塊體的耐久性特征,如耐力部分。讀寫存儲器的周期時間相同操作。這簡化了內存控制器邏輯和定時電路。同樣,讀寫的訪問時間是相同的內存操作。當CE被解除高壓時,預充電操作開始,并且是每個內存周期所必需的。因此與SRAM不同,訪問和循環時間并不相等。寫入在訪問結束時立即發生,沒有延遲。不像一個EEPROM,不需要輪詢設備是否準備好自寫入以總線速度發生以來的狀態。用戶有責任確保VDD保持在防止錯誤操作的數據表公差。也很合適VDD和CE之間的電壓電平和時序關系必須在通電和斷電事件期間進行維護。見第12頁的“動力循環計時”。

存儲器操作FM18W08的設計方式與其他字節存儲器產品。對于熟悉的用戶BBSRAM,性能相當,但是字節范圍接口的操作方式稍有不同,如前所述下面。對于熟悉EEPROM的用戶來說,不同之處在于從F-RAM技術更高的寫性能包括NoDelay寫作和更高的寫作耐力。讀取操作讀取操作從CE的下降沿開始。在這個時候,地址位被鎖存并啟動一個存儲器周期。一旦啟動,必須在內部完成完整的內存周期即使CE失效。數據在總線上可用達到訪問時間后。地址被鎖定后,地址值可以是在滿足保持時間參數時更改。不像SRAM,更改地址值對地址鎖定后的內存操作。當OE被斷言為低時,FM18W08將驅動數據總線并且滿足內存訪問時間。如果在滿足內存訪問時間,數據總線將為driv數據。如果在完成內存訪問之前斷言了OE,在有效數據可用之前,不會驅動數據總線。這個該特性通過消除由驅動到總線的無效數據引起的瞬變。什么時候?OE被解除高配置,數據總線將保持在HI-Z狀態。

寫操作在FM18W08中,寫入與讀取的間隔相同。這個FM18W08同時支持CE和WE控制的寫入周期。在兩種情況下,地址都鎖定在CE的下降沿上。在CE控制的寫操作中,WE信號在開始內存循環。也就是說,當設備在芯片啟用時被激活。在這種情況下,設備以寫入方式開始內存循環。FM18W08不能驅動數據總線與運行經驗的狀態無關。在我們控制的寫入中,內存周期從CE的邊緣。WE信號在CE下降邊緣后下降。因此,存儲周期以讀取開始。數據總線將根據運行經驗駕駛,直到我們摔倒。行政長官和我們控制的寫入計時情況如第12頁所示。對數組的寫訪問在啟動內存循環。寫入訪問在我們或CE的上升沿,以先到者為準。有效的筆跡操作要求用戶滿足訪問時間規范在我們或行政長官離開之前。數據設置時間指示在寫訪問。

與其他非易失性存儲器技術不同,它沒有寫操作F-RAM延遲。因為底層內存相同,用戶體驗不到在公共汽車上耽擱。整個內存操作發生在單總線循環。因此,任何操作包括讀或寫可以在寫入之后立即發生。數據輪詢,a與eeprom一起用來確定寫操作是否完整,是不必要的。預充電操作預充電操作是一種內部條件,其中內存狀態已準備好進行新的訪問。所有內存周期包括內存訪問和預充電。預充電是用戶通過驅動CE信號高啟動。它必須留下至少在最短預充電時間內為高,tPC。用戶確定此操作的開始,因為在CE升高之前,不會開始預充電。但是,設備有必須滿足的最大CE低時間規范。耐力在內部,F-RAM通過讀取和恢復操作機制。因此,每個讀寫周期都包含國家變更。內存結構基于一個數組行和列的。每次讀或寫訪問都會導致一整排的耐力循環。在FM18W08中,一行是64有點寬。每8字節的邊界標志著一個新的劃船。通過頻繁地確保訪問的數據位于不同的行中。無論如何,F-RAM提供比其他非易失性更高的寫持久性回憶。1014個循環的額定耐久極限將允許20多年來,每秒有150000次訪問同一行。

F-RAM設計注意事項在首次使用F-RAM進行設計時,SRAM的用戶將認識到一些細微的差別。首先,字節范圍的F-RAM存儲器鎖存在芯片使能的下降沿上的每個地址。這允許地址總線在啟動內存后更改進入。因為每次訪問都會鎖定在CE的邊緣,用戶不能像用它一樣接地SRAM公司。修改現有設計使用F RAM的用戶應該檢查內存控制器的計時兼容性地址和控制管腳。每個內存訪問必須合格,CE含量低。在很多情況下,這是只需要更改。信號關系的一個例子是如下圖所示。還顯示了一個常見的SRAM信號不適用于FM18W08的關系。CE為每個地址選通的原因有兩個:它鎖存新地址并創建必要的預收費期當CE高的時候。

第二個設計考慮因素是操作。電池供電的sram被迫監視VDD以便切換到備用電池。它們通常會阻止用戶訪問低于某一VDD級別,以防止加載有源SRAM的電流需求電池。用戶可以突然中斷對非易失性存儲器的訪問沒有警告或指示的斷電情況。F-RAM存儲器不需要這個系統開銷。這個內存不會阻止符合以下條件的任何VDD級別的訪問指定的工作范圍。用戶應采取措施當VDD為太過分了。舉行一個關機期間處理器處于重置狀態可能就足夠了。它是建議將芯片啟用拉高并允許在通電和斷電循環期間跟蹤VDD。它是用戶有責任確保芯片使能防止低于VDD最小值(2.7 V)的訪問。圖顯示了CE上的一個上拉電阻器,它將保持引腳高功率循環期間,假設MCU/MPU引腳在復位條件下三態。上拉電阻值應選擇確保CE管腳軌跡VDD高足夠大的值,因此當CE低時所消耗的電流一個問題。

請注意,如果CE與地面相連,用戶必須確保我們沒有在上電或斷電事件中處于低位。如果芯片已啟用而且我們在能量循環期間很低,數據會被破壞。圖顯示了WE上的一個上拉電阻器,它將保持pin高功率循環期間,假設MCU/MPU引腳在復位條件下三態。上拉電阻值應選擇以確保我們將磁道VDD鎖定到高足夠大的值,所以當我們很低的時候所消耗的電流一個問題。

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